同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法

摘要

本发明公开了一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：在半导体衬底表面制作介质层；对所述介质层进行图形化刻蚀；对所述图形化刻蚀掉所述介质层而没有所述介质层覆盖区域的半导体衬底进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上的形成孔或槽结构；在所述半导体衬底表面沉积绝缘层；实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述半导体衬底上的孔或槽结构；对所述半导体衬底进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层。使用本发明提供的方法能够缩减工艺步骤、降低工艺成本，并提供工艺优化的更多自由度，保证最终产品的性能。

主权项

一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：在半导体衬底表面制作介质层；对所述介质层进行图形化刻蚀；对已经被所述图形化刻蚀掉所述介质层的半导体衬底的区域进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上的形成孔或槽结构；在所述半导体衬底表面沉积绝缘层；实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述半导体衬底上的孔或槽结构；对所述半导体衬底进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层。