发明名称 |
一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法 |
摘要 |
一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法,属于晶体硅太阳能电池领域,含有以下步骤;氧化硅钝化步骤,是指在P型硅片的磷掺杂面形成一层氧化硅膜;氧化铝钝化步骤,是指在P型硅片的非掺杂面形成一层氧化铝膜;MWT(Metal Wrap Through)技术步骤,是指采用激光打孔,把电池片正面电极引到背面;新栅线形成步骤,是指采用电镀,溅射步骤。本发明有效结合了MWT,正面双层膜钝化,背面氧化铝钝化;并采用了新电池形成方案,如电镀,溅射等克服了对丝网印刷银浆的依赖,同时降低了由电极产生的电阻。能使P型单晶电池片效率提升到20%以上,P型多晶电池片效率提升到18%以上。 |
申请公布号 |
CN102386249A |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201110338024.4 |
申请日期 |
2011.10.31 |
申请人 |
北京中联科伟达技术股份有限公司 |
发明人 |
孙良欣;胡盛华 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
北京市商泰律师事务所 11255 |
代理人 |
毛燕生 |
主权项 |
一种下一代结构高效率晶体硅电池,其特征在于在电池正面形成氧化硅和氮化硅双层膜,对正面形成良好的钝化和降低表面反射;背面采用氧化铝或氧化硅层钝化P型基底和局部背场结构,形成有效的背面钝化;贯穿硅片的小孔被浆料填充,最终形成电极;在背面,从小孔引出的电极用掩膜法或用激光使其与表面的其他部分隔开,避免短路;P型基底与局部背场之间有氧化铝膜或氧化硅膜;正面氧化硅与P型基底之间有n型层。 |
地址 |
100012 北京市朝阳区北苑路40号2号楼 |