用于处理基板的方法、用于生产半导体芯片的方法和用于生产具有树脂粘结剂层的半导体芯片的方法

摘要

公开一种用于处理基板的方法，通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时，由液体排斥膜(3，3e)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到半导体晶片(1)的后表面(1b)的外线区域而形成，所述外线区域沿着刻划线(1c)和外边缘形成为具有预定宽度。然后，液体树脂供应到后表面(1b)，从而在没有液体排斥膜(3)的区域中形成膜厚度大于液体排斥膜(3)的树脂膜(4)。然后，树脂膜(4)被熟化，从而形成掩膜(4*)，该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果，用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。

主权项

一种用于通过利用等离子处理的蚀刻部分地除去基板的基板处理方法，所述方法包括：疏液图案形成步骤，其在基板的处理目标表面上印刷疏液液体到待被蚀刻掉的区域和沿着基板的外边缘设置的轮廓到预定宽度，从而形成疏液图案；树脂膜形成步骤，其在形成疏液图案的基板的处理目标表面上供应液体树脂，从而在没有形成疏液图案的区域中形成厚度大于疏液图案的树脂膜；掩膜形成步骤，其熟化树脂膜，从而在处理目标表面上形成用于覆盖除了待被蚀刻掉的区域之外的区域的掩膜；疏液图案移除步骤，其在执行关于掩膜形成步骤的处理后从处理目标表面移除疏液图案；蚀刻步骤，其在关于疏液图案移除步骤的处理后通过等离子处理从处理目标表面蚀刻基板；和掩膜移除步骤，其在完成关于蚀刻步骤的处理后从处理目标表面移除掩膜。