硅酸镓镧晶体元件的生产方法

摘要

一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以达到各自的研磨厚度要求；研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强；制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大，温度稳定性好，带边比较陡峭，可以应用于滤波器、高温传感器等方面。

主权项

一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，其步骤如下：(1)取原料硅酸镓镧晶体，用多刀切割机切割成条状晶体材料；然后用X光定向仪对条状晶体材料进行晶体定向测角，定向精度为±10′；(2)按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再用改圆机进行改圆处理后，得圆片状晶体材料；(3)依次用研磨机对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨三级研磨处理，研磨时对圆片状晶体材料进行自动频率监控，以达到各自的研磨厚度要求；粗磨时研磨机的转速为80‑90转/分钟，使用的SiC磨料的粒度为1600±300目；中磨时研磨机的转速为50‑60转/分钟，使用的SiC磨料的粒度为3000±300目；精磨时研磨机的转速为40‑45转/分钟，使用的SiC磨料的粒度为6000±300目；(4)研磨后用真空镀膜机对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银的厚度按频率要求进行，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；(5)将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。