| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光器件，其包括：具有不平坦图案的底表面的第一半导体层、在第一半导体层上形成的有源层、在所述有源层上形成的第二半导体层、在所述第二半导体层上形成的第二电极和在所述第一半导体层下形成的第一电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101228642B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200680026632.9 | 申请日期 | 2006.07.25 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 崔镇植 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：具有底表面的第一半导体层，所述底表面具有不平坦图案；在所述第一半导体层上形成的有源层；在所述有源层上形成的第二半导体层；在所述第二半导体层上形成的第二电极；和第一电极，所述第一电极形成为具有对应于所述第一半导体层的所述不平坦图案的不平坦图案。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||