| 发明名称 | 能补偿由于高温应力状态间读出边界减小的闪存编程方法 | ||
| 摘要 | 一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据。该编程方法包括：利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第一位线或第二位线；以及重新编程已编程的存储单元，该已编程的存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及所述第一位线或所述第二位线，由此增加由于高温应力(HTS)而减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。 | ||
| 申请公布号 | CN101009139B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200710003749.1 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜东求;林瀛湖 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据，该编程方法包括：(a)利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第二位线；(b)重新编程已编程的存储单元，该存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及第一位线；以及(c)重新编程已编程的存储单元，该存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及第二位线，其中，步骤(b)和(c)分别包括：在各个状态的存储单元中检测被布置在预定阈电压区域中的存储单元，其中由第一校验电压与读出电压之一以及第二校验电压两者选择各个状态的所述预定阈电压区域，所述第一校验电压比所述第二校验电压低并且比所述读出电压高；以及编程所检测到的存储单元为具有等于或高于与各个状态相对应的所述第二校验电压的阈电压，由此增加由于高温应力(HTS)减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||