| 发明名称 | 一种制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积形成栅极结构所需的材料层以及具有图案的光刻胶；根据预定的栅极结构关键尺寸偏差来调整刻蚀机台的温度偏差，修剪所述具有图案的光刻胶；刻蚀所述材料层，形成具有实际的栅极结构关键尺寸的栅极结构；以及在所述衬底和所述栅极结构上采用化学气相沉积方法形成衬垫材料层，并刻蚀形成衬垫层。根据本发明的方法，能够有效地改善半导体器件电学性质的均匀性，提高良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102386077A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010274989.7 | 申请日期 | 2010.09.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 沈满华;黄怡;黄敬勇;陈振兴 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积形成栅极结构所需的材料层以及具有图案的光刻胶；根据预定的栅极结构关键尺寸偏差来调整刻蚀机台的温度偏差，修剪所述具有图案的光刻胶；刻蚀所述材料层，形成具有实际的栅极结构关键尺寸的栅极结构；以及在所述衬底和所述栅极结构上采用化学气相沉积方法形成衬垫材料层，并刻蚀形成衬垫层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||