发明名称 气体阻隔性层叠膜
摘要 本发明涉及一种气体阻隔性层叠膜,其具备基材和在所述基材的至少单侧上所形成的至少1层薄膜层,其中,所述薄膜层中的至少1层满足下述条件中的至少1个条件,满足硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的条件(i)~(iii),以及电子束透射率曲线具有至少1个极值。本发明的气体阻隔性层叠膜不但具有足够的气体阻隔性,而且在弯曲后可充分抑制气体阻隔性的降低。本发明的气体阻隔性层叠膜非常适用于使用有机电致发光元件(有机EL元件)的柔性照明、有机薄膜太阳能电池、液晶显示器等。
申请公布号 CN102387920A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201080015879.7 申请日期 2010.04.08
申请人 住友化学株式会社 发明人 长谷川彰;黑田俊也;石飞昌光;真田隆;田中利彦
分类号 B32B27/00(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/04(2006.01)I 主分类号 B32B27/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 蒋亭
主权项 一种气体阻隔性层叠膜,其具备基材和在所述基材的至少一个表面上形成的至少1层薄膜层,其中,所述薄膜层中的至少1层满足下述条件(A)及(B)中的至少1个条件,条件(A):该层含有硅、氧及碳,且在分别表示该层膜厚方向上的距该层表面的距离和相对硅原子、氧原子及碳原子的合计量的硅原子的量的比率、即硅原子比,氧原子的量的比率、即氧原子比及碳原子的量的比率、即碳原子比的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中,全部满足下述条件(i)~(iii):(i)硅原子比、氧原子比及碳原子比在该层的膜厚的90%以上的区域内满足下述式(1)所示的条件或硅原子比、氧原子比及碳原子比在该层的膜厚的90%以上的区域内满足下述式(2)所示的条件;氧原子比>硅原子比>碳原子比(1)碳原子比>硅原子比>氧原子比(2)(ii)所述碳分布曲线具有至少1个极值;(iii)所述碳分布曲线中的碳原子比的最大值及最小值之差的绝对值为5at%以上,条件(B):表示该层膜厚方向上的距该层表面的距离和电子束透射率的关系的电子束透射率曲线具有至少1个极值。
地址 日本国东京都