半导体发光二极管及其制造方法

摘要

提供了如下的半导体发光二极管及其制造方法，即：通过将作为光提取侧的电极部的上电极部和与该上电极部成对的中间电极部设置成具有适当的位置关系，在维持相对低的正向电压的同时提高了光输出功率。特别地，该半导体发光二极管(1)包括：支承基板(2)；顺次配置在支承基板的上表面侧的包括中间电极部(3a)的中间层(3)、第二导电半导体层(4)、活性层(5)、第一导电半导体层(6)和上电极部(7)；以及设置在支承基板的下表面侧的下电极层(8)。其中，中间层(3)具有呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部(3a)。在将上电极部(7)和中间电极部(3a)投影到与支承基板(2)的上表面平行的假想平面上时，这些电极部(7、3a)的位置关系为：上电极部(7)和中间电极部(3a)彼此错开，上电极部(7)和中间电极部(3a)中的至少一个的轮廓线按预定的波浪幅度延伸，且上电极部(7)和与上电极部(7)相对的中间电极部(3a)的轮廓线之间的距离(d)局部减小。

主权项

一种半导体发光二极管，包括：支承基板；顺次配置在所述支承基板的上表面侧的中间层、第二导电半导体层、活性层、第一导电半导体层和上电极部，其中所述中间层包括中间电极部；以及设置在所述支承基板的下表面侧的下电极层，其中，所述中间层包括呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部；以及所述上电极部和所述中间电极部被配置为具有如下的位置关系，即在通过将所述上电极部和所述中间电极部分别投影到与所述支承基板的上表面平行的假想平面上所获得的视图中，所述上电极部和所述中间电极部彼此错开，并且所述上电极部和所述中间电极部中的至少一个的轮廓按预定幅度的波浪弯曲形式延伸，以使得彼此相对的所述上电极部和所述中间电极部的轮廓线之间的轮廓间距离局部减小。