用于便携电子装置和数据处理中心的半导体器件以及形成低压MOSFET的方法

摘要

半导体器件具有形成在衬底之内的阱区域。在衬底表面上形成栅极结构。在衬底之内邻近栅极结构形成源极区域。在衬底之内邻近栅极结构形成漏极区域。在源极区域和漏极区域之下形成第一箝位区域和第二箝位区域。穿过源极区域形成沟槽。沟槽允许源极区域的宽度降低至0.94至1.19微米。穿过沟槽形成插塞。穿过沟槽在插塞上形成源极带。在源极区域、漏极区域和栅极结构之上形成互连结构。半导体器件可以用于电源中以便为诸如便携电子装置和数据处理中心的电子设备提供低压。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在衬底之内形成阱区域；在衬底表面上形成栅极结构；在衬底之内邻近栅极结构形成源极区域；在衬底之内邻近栅极结构相对源极区域形成漏极区域；分别在源极区域和漏极区域之下形成第一箝位区域和第二箝位区域；形成穿过源极区域的沟槽；形成穿过沟槽进入阱区域的插塞；形成穿过沟槽在插塞上的源极带；以及在源极区域、漏极区域和栅极结构之上形成互连结构。