形成金属化合物薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种形成金属化合物薄膜的方法，包括：提供前端器件结构，将前端器件结构置于反应腔室内的底部，反应腔室具有溅射装置和电感耦合等离子体装置，溅射装置具有位于反应腔室内的顶部的靶，电感耦合等离子体装置用于在前端器件结构表面的区域形成等离子体区域；采用溅射装置在前端器件结构上形成由靶的材料构成的靶材料薄膜；在溅射装置关闭且在电感耦合等离子体装置开启的情况下通入反应气体使反应气体与靶材料薄膜反应，以形成金属化合物薄膜。根据本发明，能够保证所形成的靶材料薄膜不会因为含有其它杂质而改变其自身的性能。

主权项

一种形成金属化合物薄膜的方法，包括：(a)提供前端器件结构，将所述前端器件结构置于反应腔室内的底部，所述反应腔室具有溅射装置和电感耦合等离子体装置，所述溅射装置具有位于所述反应腔室内的顶部的靶，所述电感耦合等离子体装置用于在所述前端器件结构表面的区域形成等离子体区域；(b)采用所述溅射装置在所述前端器件结构上形成由所述靶的材料构成的靶材料薄膜；(c)在所述溅射装置关闭且在所述电感耦合等离子体装置开启的情况下通入反应气体使所述反应气体与所述靶材料薄膜反应，以形成所述金属化合物薄膜。