| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明能够增强沟道区应力，从而提高载流子迁移率，改善器件性能，同时能够减少器件所用面积，进而降低制造成本。本发明的半导体结构包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底中；栅极，包括介质层和导电层，形成于沟道区上方；源漏区，位于所述栅极的两侧；第一浅沟槽隔离，嵌于所述半导体衬底中，且长度方向与所述栅极长度方向平行；第二浅沟槽隔离，位于所述源漏区两侧，与所述第一浅沟槽隔离相接；其中，所述源漏区包括相对分布于所述栅极的两侧、且与所述第二浅沟槽隔离邻接的第一种晶层；所述第二浅沟槽隔离的上表面高于或持平于所述源漏区的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102386226A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010269260.0 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;钟汇才 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底中；栅极，包括介质层和导电层，形成于所述沟道区上方；源漏区，位于所述栅极的两侧；第一浅沟槽隔离，嵌于所述半导体衬底中，且长度方向与所述栅极长度方向平行；第二浅沟槽隔离，位于所述源漏区两侧，与所述第一浅沟槽隔离相接，其中，所述源漏区包括相对分布于所述栅极的两侧、且与所述第二浅沟槽隔离邻接的第一种晶层，所述第二浅沟槽隔离的上表面高于或持平于所述源漏区的上表面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||