| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种化合物半导体器件包括：衬底；化合物半导体层，形成在所述衬底上方；以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上方，在所述化合物半导体层和所述栅电极之间设置有栅绝缘膜。所述栅绝缘膜包括具有反转自发极化的第一层，其自发极化的方向与所述化合物半导体层的自发极化相反。本发明通过相对简单的结构可实现常闭操作，而不会引起诸如表面电阻的增加、栅漏电流的增加、以及输出功率的减小等不便。 | ||
| 申请公布号 | CN102386221A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201110180598.3 | 申请日期 | 2011.06.24 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 山田敦史 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；化合物半导体层，形成在所述衬底上方；以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上方，在所述化合物半导体层和所述栅电极之间设置有栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括具有反转自发极化的第一层，其自发极化的方向与所述化合物半导体层的自发极化相反。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||