使用经修改的通过电压在减小的程序干扰下对非易失性存储器进行编程的方法和存储系统

摘要

以通过使用经修改的通过电压(Vpass1、Vpass2)减小程序干扰的方式来对非易失性存储元件(1110...1155)进行编程。特定来说，在对与选择的字线相关联的所选存储元件的编程期间，将较高的通过电压(Vpass1)施加于与非易失性存储元件组中先前编程的非易失性存储元件相关联的字线，所述通过电压(Vpass1)高于施加于与所述非易失性存储元件组中未经编程及/或部分编程的非易失性存储元件相关联的字线的通过电压(Vpass2)。所述通过电压足够高以平衡所述选择的字线的源极与漏极侧上的沟道电位及/或减少增压沟道区之间的电荷泄漏。视需要，通过在所述选择的字线与接收所述较高通过电压的字线之间的一个或一个以上字线上施加减小的电压，而在所述增压沟道区之间形成隔离区。

主权项

一种用于对非易失性存储器进行编程的方法，其包括：通过对选择的字线施加编程电压而对一组非易失性存储元件中的选择的非易失性存储元件进行编程；及在所述编程期间，将第一电压施加于与所述组中先前已完成编程的非易失性存储元件相关联的至少一第一字线以对第一相关联的沟道区的电位进行增压，并且将第二电压施加于与所述组中未经编程及/或部分编程的非易失性存储元件相关联的至少一第二字线以对第二相关联的沟道区的电位进行增压，所述第一电压大于所述第二电压。