在半导体装置的金属化系统中提供超电迁移效能且减少敏感低K介电的劣化

摘要

在形成复合金属化系统的过程中，可在含铜的金属区域(122A)上形成传导覆盖层(122C)，用来强化电迁移作用而不会负面影响整体的传导性。同时，可进行热化学处理，提供敏感介电材料(121)的超表面条件以及也抑制碳消耗，所述碳消耗在知技艺中会造成敏感ULK材料的材料特性明显变化。

主权项

一种用于形成半导体装置的金属化层的方法，所述方法包括：在金属区域的表面上形成传导覆盖层，所述金属区域侧向包埋在所述金属化层的第一介电材料中；在所述传导覆盖层存在中，在所述第一介电材料的暴露表面上进行热化学清洗处理；以及在所述第一介电材料的所述暴露表面与所述传导覆盖层上，形成第二介电材料。