发明名称 |
金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法,属于集成电路制造技术领域。该方法包括:在半导体衬底上依次形成界面层、高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和硬掩膜层;根据需要形成的栅极图案对所述硬掩膜层和多晶硅层进行刻蚀;采用预刻、主刻和过刻工艺对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行刻蚀;其中,在对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行主刻时,采用包括BCl3和SF6的混合气体作为工艺气体。本发明适用于CMOS器件中引入高K介质、金属栅材料后的栅结构刻蚀工艺。 |
申请公布号 |
CN102386076A |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201010269029.1 |
申请日期 |
2010.08.31 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
李永亮;徐秋霞 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法,包括:在半导体衬底上依次形成界面层、高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和硬掩膜层;根据需要形成的栅极图案对所述硬掩膜层和多晶硅层进行刻蚀;采用预刻、主刻和过刻工艺对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行刻蚀;其中,在对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行主刻时,采用包括BCl3和SF6的混合气体作为工艺气体。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |