发明名称 有源矩阵基板及其制造方法以及使用由该方法所制造的有源矩阵基板的显示设备
摘要 本发明提供了有源矩阵基板及其制造方法,其中减少光刻工艺的数量,并降低制造成本。本发明还提供了使用由该制造方法所制造的有源矩阵基板的显示设备。在用于在有源基板上形成构成显示设备的像素的工艺中,通过对光致抗蚀剂膜或者对其中通过涂布制备有源矩阵和显示电极的黑色光致抗蚀剂膜执行半色调曝光来形成堤或蚀刻图形,由此处理绝缘膜,并且通过喷墨法来制备透明导电膜和彩色滤光片。
申请公布号 CN102388413A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201080013283.3 申请日期 2010.03.12
申请人 夏普株式会社;精工爱普生株式会社 发明人 齐藤裕;野田洋一;山元良高
分类号 G09F9/30(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 G09F9/30(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种有源矩阵基板,包括:形成于绝缘基板上的栅极线、存储容量线和数据线端子;用于覆盖所述栅极线和所述存储容量线的栅极绝缘膜;多个有源层岛,按阵列布置形成于所述栅极绝缘膜上,并且具有通过间隙分离于源电极侧和漏电极侧的欧姆接触层以形成半导体层和在所述半导体的上层之上的沟道;源电极,所述源电极与在它那一侧上的欧姆接触层连接,以及与所述源电极连接的数据线;以及多个显示电极中的一个显示电极,由漏电极以及由与所述漏电极连续连接的透明导电膜形成,所述漏电极与在它那一侧上的欧姆接触层连接,其中:所述栅极绝缘膜在用于制备所述一个显示电极的区域内由所述一个显示电极覆盖;抗蚀剂堤被设置用于包围在其中制备所述一个显示电极的区域以及用于包围所述漏电极,覆盖所述欧姆接触层的间隙以及所述源电极和所述数据线,以及相邻像素的数据线;以及与所述一个显示电极和所述漏电极连续连接的所述透明导电膜距所述绝缘基板的上表面的高度小于所述抗蚀剂堤距所述绝缘基板的上表面的高度。
地址 日本大阪