MOS晶体管的器件失配的修正方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管的器件失配的修正方法，首先，确定MOS晶体管的工艺失配参数为BSIM模型中的5个模型参数，分别为MOS晶体管的阈值电压、栅氧厚度、迁移率、沟道宽度偏移量、沟道长度偏移量；其次，设定这5个参数的随机偏差；再次，对MOS晶体管的器件失配进行修正。本发明可以在SPICE软件中对MOS晶体管的器件失配进行仿真分析，而且充分考虑到沟道宽度W、沟道长度L和器件间距D对MOS晶体管的器件失配的影响。

主权项

1.一种MOS晶体管的器件失配的修正方法，其特征是：首先，确定MOS晶体管的工艺失配参数为BSIM模型中的5个模型参数，分别为MOS晶体管的阈值电压、栅氧厚度、迁移率、沟道宽度偏移量、沟道长度偏移量；其次，设定阈值电压的随机偏差设定栅氧厚度的随机偏差设定迁移率的随机偏差设定沟道宽度偏移量的随机误差设定沟道长度偏移量的随机误差其中W为MOS晶体管的沟道宽度、L为MOS晶体管的沟道长度、D为MOS晶体管之间的间距，S_Δvt、T_Δvt、S_Δtox、T_Δtox、S_Δμ、T_Δμ、S_ΔW、T_ΔW、S_ΔL、T_ΔL为随机偏差修正因子；再次，对MOS晶体管的器件失配进行修正，具体包括：其中vth0为修正后的阈值电压，vth0_original为原始的阈值电压；其中tox为修正后的栅氧厚度，tox_original为原始的栅氧厚度；其中u0为修正后的迁移率，u0_original为原始的迁移率；其中XW为修正后的沟道宽度偏移量，XW_original为原始的沟道宽度偏移量；其中XL为修正后的沟道长度偏移量，XL_original为原始的沟道长度偏移量；所述agauss(0，1，3)表示期望值为1、标准差为1/3的正态分布取值范围内的随机数。