| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置。在一实施例中，此方法包含在一基板上形成半导体氧化层以及在半导体氧化层上形成一金属氧化物层。将半导体氧化层与金属氧化物层转化成一第一介电层。在第一介电层上沉积第一电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101840863B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010138337.0 | 申请日期 | 2010.03.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊成 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括：在一基板上形成一半导体氧化层，其中该半导体氧化层选自由氧化锗、III‑V族氧化物以及II‑VI族氧化物所组成的群组的一个；在该半导体氧化层上形成一金属氧化层；转化该半导体氧化层与该金属氧化层成一第一介电层；以及在该第一介电层上沉积一第一电极层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||