| 发明名称 | 半导体器件以及其制备方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件，包括：通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板，其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围，以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。 | ||
| 申请公布号 | CN101908521B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010198571.2 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 本田技研工业株式会社 | 发明人 | 小仓正巳;高柳教人;山田友子;加藤润;增田次男;合叶司;高野文明 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;郑菊 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：通过将第一金属板和第二金属板相应地键合到绝缘衬底的两个表面而形成的电路板，要通过第一焊料键合到所述第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到所述第二金属板的外表面的散热底板，其中所述第一焊料和所述第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且所述第一金属板和所述第二金属板的厚度总和与所述绝缘衬底的厚度的比值设置在1.5到5.5的范围以确保所述第一焊料和所述第二焊料中的每一种对温度应力的耐久度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||