| 发明名称 | 处理方法和半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了在接收/传送室中能够抑制异物在处理对象物上的粘附的处理方法。本发明还提供了使用这种处理方法制造半导体装置的方法。所述处理方法包括下列步骤：在加载锁定室(衬底加载锁定室)中接收衬底的步骤(图3中的步骤(S21))，所述加载锁定室用于将所述衬底载入到对衬底即处理对象物进行处理的处理室中；和降低所述衬底加载锁定室(3)的内部压力的步骤(图3中的步骤(S23))。在降低内部压力的步骤(S23)中，以相对低的速度、然后以相对高的速度降低压力。 | ||
| 申请公布号 | CN101809730B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200880108949.6 | 申请日期 | 2008.12.12 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 柴田馨;中西文毅 |
| 分类号 | H01L21/677(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/677(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种处理方法，其包含下列步骤：在加载锁定室(3)接收所述处理对象物(13)的步骤(S21)，所述加载锁定室(3)用于将处理对象物(13)载入到对所述处理对象物(13)进行处理的处理室(2)中，和降低所述加载锁定室(3)的内部压力的步骤(S23)，所述降低内部压力的步骤包括以相对低的减压速度释放压力，然后以相对高的减压速度释放压力的步骤，其中所述以相对低的减压速度释放压力的步骤使得将所述加载锁定室中的压力降低至压力释放开始时压力的80％～95％的范围。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||