像素结构

摘要

本发明关于一种像素结构，其包括半导体层，其包括至少一源极区以及至少一漏极区；第一绝缘层，其覆盖半导体层；第一导电层，其位于第一绝缘层上且包括至少一栅极；第二绝缘层，其覆盖第一导电层；第二导电层，位于第二绝缘层上且包括至少一源极电极、至少一漏极电极以及至少一下电极，且源极电极以及漏极电极分别与对应的源极区以及漏极区电性连接，其中源极区、源极电极、漏极区、漏极电极以及栅极构成至少一薄膜晶体管；第三绝缘层，其覆盖第二导电层。第三导电层，位于第三绝缘层上且包括至少一上电极，其中第三导电层的上电极以及第二导电层的下电极构成至少一电容器。像素电极与薄膜晶体管电性连接。本发明缩小像素结构整体所需占用的面积。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一半导体层，该半导体层包括至少一源极区以及至少一漏极区；一第一绝缘层，覆盖该半导体层；一第一导电层，位于该第一绝缘层上，该第一导电层包括至少一栅极；一第二绝缘层，覆盖该第一导电层；一第二导电层，位于该第二绝缘层上，该第二导电层包括至少一源极电极、至少一漏极电极以及至少一下电极，且该至少一源极电极以及该至少一漏极电极分别与对应的该至少一源极区以及该至少一漏极区电性连接，其中该至少一源极区、该至少一源极电极、该至少一漏极区、该至少一漏极电极以及该至少一栅极构成至少一薄膜晶体管；一第三绝缘层，覆盖该第二导电层；一第三导电层，位于该第三绝缘层上，该第三导电层包括至少一上电极，其中该第三导电层的该至少一上电极以及该第二导电层的该至少一下电极构成至少一电容器；以及一像素电极，其与该至少一薄膜晶体管电性连接。