发明名称 MTJ三轴磁场传感器及其封装方法
摘要 本发明公开了一种MTJ三轴磁场传感器,敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片,所述Z轴磁场传感器包括基片和制备在该基片上的MTJ元件,所述Z轴磁场传感器贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边,所述Z轴磁场传感器上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角,该夹角为锐角或钝角,其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。本发明采用以上结构,集成度高,灵敏度更高,功耗更低,线性更好,动态范围更宽,温度特性更好,抗干扰能力更强。
申请公布号 CN102385043A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201110251904.8 申请日期 2011.08.30
申请人 江苏多维科技有限公司 发明人 雷啸锋;张小军;黎伟;王建国;薛松生
分类号 G01R33/09(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 主分类号 G01R33/09(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 孙仿卫;李艳
主权项 一种MTJ三轴磁场传感器,其特征在于:敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器、与所述X轴桥式磁场传感器、所述Y轴桥式磁场传感器和所述Z轴磁场传感器相连接且适配的ASIC芯片,所述Z轴磁场传感器包括连接的磁传感芯片,所述磁传感芯片包括基片和制备在该基片上的MTJ元件,所述磁传感芯片贴覆在ASIC芯片上形成一贴覆边,所述磁传感芯片上与贴覆边相邻的侧边与该贴覆边形成一夹角,该夹角为锐角或钝角,其中X轴、Y轴和Z轴两两正交。
地址 215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号