| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明用于准确识别存储器中的不良块的半导体存储装置，该半导体存储装置包含：具有多个存储元件的第1存储区域(512列)，上述第1存储区域存储从外部输入的数据；发生差错订正代码的差错订正代码发生电路(8)；与从上述外部输入的数据相对应，存储由上述差错订正代码发生电路发生的差错订正代码的第2存储区域(ECC代码区域)，上述第2存储区域在上述差错订正代码发生电路非激活时，用于替换上述第1存储区域内的不良存储元件。通过上述半导体存储装置能够准确识别存储器中的不良块，提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101154459B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200710180230.0 | 申请日期 | 2001.09.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 柴田升;田中智晴 |
| 分类号 | G11C16/22(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，其特征是包含：第1存储区域，该第1存储区域具有多个存储元件，上述第1存储区域存储从外部输入的数据；差错订正代码发生电路，发生差错订正代码；第2存储区域，该第2存储区域将由上述差错订正代码发生电路发生的差错订正代码与从上述外部输入的数据相对应地进行存储，上述第2存储区域在上述差错订正代码发生电路非激活时，用于替换上述第1存储区域内的不良存储元件，控制部，将上述差错订正代码发生电路设定为激活和非激活其中之一。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||