半导体器件内的金属线及其形成方法

摘要

一种在半导体器件中的金属线包括：绝缘层，其具有形成于其中的沟槽；在所述绝缘层和所述沟槽上的形成的阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成的金属层，其中所述金属层填充所述沟槽；以及在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上形成的抗电蚀层。

主权项

一种半导体器件中的金属线，所述金属线包括：绝缘层，所述绝缘层具有形成在其中的沟槽；阻挡金属层，所述阻挡金属层形成在所述绝缘层和所述沟槽上；金属层，所述金属层形成在所述阻挡金属层上，其中所述金属层填充所述沟槽；和抗电蚀层，所述抗电蚀层形成在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上，其中所述金属层包含铝(Al)，其中所述抗电蚀层包括含有AlCu合金层的金属层的合金层。