发明名称 半导体装置以及半导体装置的控制方法
摘要 本发明的半导体装置包含:写入电压供给电路,是供给写入电压至存储单元的漏极;检测电路,是利用写入电压供给电路的输出电压来检测写入电压供给电路所供给的写入电压;频率转换电路,是当写入电压供给电路所供给的写入电压低于预定电压时,将预定的振荡电路所输出的时钟信号转换为低频率的时钟信号;以及电压产生电路,是使用频率转换电路将频率转换后的时钟信号,产生供给至存储单元的栅极的电压。藉此,能够正确地控制栅极电压以使不超过编程电压产生电路的电流供给能力,而能够同时写入多个位。因此,能够最大限度地利用编程电压产生电路的能力来进行写入。
申请公布号 CN101107674B 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN200480044853.X 申请日期 2004.11.30
申请人 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 发明人 小森秀树;河村洋一;田屋正则
分类号 G11C16/12(2006.01)I 主分类号 G11C16/12(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种非易失性半导体存储装置,包含:写入电压供给电路,供给写入电压至存储单元的漏极;以及电压产生电路,使用根据所述写入电压供给电路所供给的写入电压而决定的时钟信号,产生供给至所述存储单元的栅极的电压。
地址 美国加利福尼亚州