| 发明名称 | 内容可寻址存储器 | ||
| 摘要 | 一种内容可寻址存储器，包含一第一内容可寻址存储单元及一第二内容可寻址存储单元。该第一内容可寻址存储单元储存一第一数据位，并比较该第一数据位与一第一搜寻位以决定是否匹配。该第二内容可寻址存储单元储存一第二数据位，并比较该第二数据位与一第二搜寻位以决定是否匹配。其中，该第一内容可寻址存储单元包含一第一逻辑电路，该第二内容可寻址存储单元包含一第二逻辑电路，且该第一逻辑电路与该第二逻辑电路形成一静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101630529B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200810137731.5 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 江明澄 |
| 分类号 | G11C15/00(2006.01)I;G11C15/04(2006.01)I | 主分类号 | G11C15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 蒲迈文 |
| 主权项 | 一种内容可寻址存储器，包含：一第一内容可寻址存储单元和一第二内容可寻址存储单元，该第一内容可寻址存储单元包含：一第一数据存储单元，用以储存一第一数据位；以及一第一比较电路，耦接至该第一数据存储单元，用以比较该第一数据位与一第一搜寻位以决定是否匹配，该第二内容可寻址存储单元包含：一第二数据存储单元，用以储存一第二数据位；以及一第二比较电路，耦接至该第二数据存储单元，用以比较该第二数据位与一第二搜寻位以决定是否匹配，其中，该第一比较电路包含一第一逻辑电路；该第二比较电路包含一第二逻辑电路；以及该第一逻辑电路与该第二逻辑电路形成一静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学园区 | ||