用于沉积Ⅲ/Ⅴ族化合物的方法

摘要

本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。

主权项

一种用于在基板上形成氮化镓材料的方法，包括：在预处理工艺期间，将处理室内的基板暴露于氯气同时形成预处理的表面；加热金属源以形成加热的金属源，其中加热的金属源包括选自由镓、铝、铟、它们的合金和它们的组合物构成的组的元素；将加热的金属源暴露于氯气以形成金属氯化物气体；和在氢化物气相外延工艺期间，将基板暴露于金属氯化物气体和氮前体气体同时在预处理的表面上形成金属氮化物层。