形成具有金属栅极的半导体器件的方法

摘要

本发明提出了一种形成具有金属栅极的半导体器件的方法，包括提供前端器件结构，前端器件结构具有半导体衬底和半导体衬底上的层间介质层，层间介质层中具有开口以露出部分半导体衬底，在开口两侧且被层间介质层覆盖的半导体衬底中形成有源/漏极；在前端器件结构上形成阻挡层；刻蚀阻挡层，以在开口的侧壁上形成阻挡间隙壁层；以阻挡间隙壁层和层间介质层为掩膜，对半导体衬底进行离子注入工艺，以形成非均匀掺杂的沟道；去除阻挡间隙壁层；在开口中形成高k材料层后填充金属，以形成具有金属栅极的半导体器件。根据本发明的方法形成的具有金属栅极的半导体器件，既能够有效降低GIDL，又能够改善短沟道效应。

主权项

一种形成具有金属栅极的半导体器件的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构具有半导体衬底和所述半导体衬底上的层间介质层，所述层间介质层中具有开口以露出部分所述半导体衬底，在所述开口两侧且被所述层间介质层覆盖的所述半导体衬底中形成有源/漏极；在所述前端器件结构上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层，以在所述开口的侧壁上形成阻挡间隙壁层；以所述阻挡间隙壁层和所述层间介质层为掩膜，对所述半导体衬底进行离子注入工艺，以形成非均匀掺杂的沟道；去除所述阻挡间隙壁层；在所述开口中形成高k材料层后填充金属，以形成所述具有金属栅极的半导体器件。