发明名称 固体摄像元件及其制造方法、固体摄像装置和摄像装置
摘要 本发明公开了一种固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法、固体摄像装置和摄像装置。所述固体摄像元件包括具有进行入射光的光电转换的受光部的半导体基板;形成于所述半导体基板的表面上的氧化物层;形成于所述氧化物层的上层的遮光层,并且在所述遮光层与所述氧化物层之间形成有粘着层;布置于所述氧化物层与所述粘着层之间的氧供给层,并且所述氧供给层是由显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小的材料形成的。所述固体摄像装置包括所述固体摄像元件和光学系统。所述摄像装置包括所述固体摄像元件、光学系统和信号处理部。本发明能够避免界面损坏并且能够在不降低可靠性和粘着性的前提下抑制暗电流。
申请公布号 CN102386194A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201110245628.4 申请日期 2011.08.24
申请人 索尼公司 发明人 大庭义行;桧山晋;押山到
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 陈桂香;武玉琴
主权项 一种固体摄像元件,其包括:半导体基板,所述半导体基板具有对入射光进行光电转换的受光部;氧化物层,所述氧化物层形成于所述半导体基板的表面上;遮光层,所述遮光层形成于所述氧化物层的上层,并且在所述遮光层与所述氧化物层之间形成有粘着层;以及氧供给层,所述氧供给层布置于所述氧化物层与所述粘着层之间,并且所述氧供给层是由显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小的材料形成的。
地址 日本东京