| 发明名称 | 由无电镀形成有机薄膜晶体管的源电极和漏电极的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：使用溶液处理技术将源电极和漏电极沉积于衬底之上；使用溶液处理技术将功函数改性层形成于源电极和漏电极之上；以及使用溶液处理技术将有机半导电材料沉积于源电极和漏电极之间的沟道区中。 | ||
| 申请公布号 | CN102388476A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201080005844.5 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 剑桥显示技术有限公司 | 发明人 | G·怀廷;J·波罗格斯;J·卡特;J·J·M·哈尔斯;K·韦伯 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种制造有机薄膜晶体管的方法，所述方法包括：使用溶液处理技术将源电极和漏电极沉积于衬底之上；使用溶液处理技术将功函数改性层形成于所述源电极和漏电极之上；以及使用溶液处理技术将有机半导电材料沉积于所述源电极和漏电极之间的沟道区中。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||