控制硅锗合金刻面生长效果的方法

摘要

本发明公开了一种控制硅锗合金刻面生长效果的方法，在硅基板上依次形成集电极和次集电极，然后在所述次集电极上依次进行衬垫氧化膜成长，氮化硅膜成长，进行有源区光刻刻蚀形成沟槽，隔离介质膜成长形成浅沟槽隔离(STI)结构；利用反转光刻刻蚀，将STI边缘的隔离介质膜刻蚀到所述氮化硅膜之下；去除所述的氮化硅膜和衬垫氧化膜；生长基极SiGe膜。本发明由于在浅沟槽工艺的隔离用氧化膜成长完成之后，将普通的反转刻蚀用的掩膜版设计规则进行修改，将锗硅异质结双极晶体管区的刻蚀区扩大到有源区之外，从而在不增加工艺成本的条件下，同样得到在浅沟槽边缘氧化膜凹陷的结构。

主权项

一种控制硅锗合金刻面生长效果的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅基板上依次形成集电极和次集电极，然后在所述次集电极上依次进行衬垫氧化膜成长，氮化硅膜成长，进行有源区光刻刻蚀形成沟槽，隔离介质膜成长形成STI结构；其特征在于：还包括，步骤二、利用反转光刻刻蚀，将STI边缘的隔离介质膜刻蚀到所述氮化硅膜之下，并且在反转光刻刻蚀时使反转掩膜版位于异质结双极晶体管的基极区域，将刻蚀区域扩大到有源区之外；步骤三、去除所述的氮化硅膜和衬垫氧化膜；步骤四、生长基极SiGe膜；其中，SiGe成长时STI顶部边界处隔离介质膜凹陷量要大于200埃。