一种提高CMOS图像传感器动态范围的装置和方法

摘要

本发明公开了一种提高互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器动态范围的装置和方法，包括：像素单元阵列、时序控制电路、双采样电路、模拟前端处理电路、A/D转换器以及存储单元，其中，所述像素单元阵列中具有多种类型的像素单元，每种类型的像素单元的FD区域的面积是不同的。当采用CMOS图像传感器拍摄图像时，利用面积大的FD区域的像素单元对光的敏感度较低、面积小的FD区域的像素单元对光的敏感度较高的原理，面积大的FD区域的像素单元能够感知图像中光强的部分、而面积小的FD区域的像素单元则能够感知光弱的部分，从而使得合成后的图像动态范围较大，也即使得CMOS图像传感器动态范围得到显著的提高，而且实现简单。

主权项

一种提高互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器动态范围的装置，该装置包括：像素单元阵列、时序控制电路、双采样电路、模拟前端处理电路、模拟/数字A/D转换器以及存储单元，其中，所述像素单元阵列用于在所述时序控制电路的控制下采集图像光信号、并输出不同的电压信号供所述双采样电路进行采集以得到图像电压信号，所述图像电压信号发送给所述模拟前端处理电路和所述A/D转换器进行处理和转换、得到数字形式的图像电压信号，其特征在于，所述像素单元阵列中具有多种类型的像素单元，每种类型的像素单元的浮动的扩散节点FD区域的面积是不同的，且每种FD区域的面积不同的像素单元在所述像素单元阵列中是间隔分布的。