用于在无源矩阵存储器中执行读写操作的方法,以及执行该方法的装置

摘要

一种用于在无源矩阵寻址的存储单元的存储器阵列中执行读写操作的方法，所述存储单元包含呈现极化剩磁的电可极化材料，其中存储于存储单元内的逻辑值用该存储单元中的实际极化状态来表示，其中读写操作在控制电路设备的控制下执行，所述方法包括步骤：在读取操作期间，记录一个或多个存储单元的动态电荷响应，在每个读取操作期间，把在该可极化材料中的极化程度限制到取决于所记录的动态电荷响应并由该控制电路设备所限定的值，所述值的范围为大于零到小于极化饱和幅值的上限并且与用于存储单元的逻辑状态的可靠检测的预定判据相一致，以及根据实际的瞬态电荷响应信息来控制读和写操作。

主权项

一种用于在无源矩阵寻址的存储单元的存储器阵列中执行读写操作的方法，所述存储单元包含呈现极化剩磁的电可极化材料，其中所述电可极化材料是驻极体或者铁电材料，其中存储于存储单元内的逻辑值用该存储单元中的实际极化状态来表示，并且通过响应于为寻址该阵列的存储单元而向字线和位线施加电压而检测流入或者流出所述存储单元的电荷流来确定所述逻辑值，其中电荷流的检测是基于检测由在所述可极化材料中的极化变化所造成的电荷流分量，其中读写操作在控制电路设备的控制下执行，其特征是：所述方法包括步骤：a)在读取操作期间，记录一个或多个存储单元的动态电荷响应，b)在每个读取操作期间，把在该可极化材料中的极化程度限制到取决于所记录的动态电荷响应并由该控制电路设备所限定的值，所述值的范围为大于零到小于极化饱和幅值的上限并且与用于存储单元的逻辑状态的可靠检测的预定判据相一致，以及c)根据实际的瞬态电荷响应信息来控制读和写操作。