利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法

摘要

本发明涉及半导体材料与器件制造领域，具体涉及利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，其是在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层，然后涂覆抗蚀剂，利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图形，再用RIE刻蚀技术，将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀，形成沟槽，再利用光子束超衍射纳米加工技术，在光刻胶上曝光，显影，定影，形成栅头图形，蒸发栅极金属，在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。具有灵活性高，同时精度高、面积大、可重复、低成本和效率高的优点。

主权项

一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图形；步骤4：用RIE刻蚀技术，将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀，形成沟槽；步骤5：将残余的抗蚀剂洗去，在介质钝化层上涂覆光刻胶；步骤6：利用光子束超衍射纳米加工技术，在光刻胶上曝光，显影，定影，形成栅头图形；步骤7：在光刻胶上蒸发栅极金属；步骤8：去除光刻胶，在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。