半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：处理第一半导体层的表面，以获得所述表面的至少一个第一区域和所述表面的至少一个第二区域，所述至少一个第一区域具有平均表面晶格参数的第一值，所述至少一个第二区域具有与所述第一值不同的平均表面晶格参数的第二值；在所述第一半导体层上沉积第二半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖所述至少一个第一区域和所述至少一个第二区域，且覆盖所述至少一个第一区域的所述自组织岛具有参数的第一平均值以及覆盖所述至少一个第二区域的所述自组织岛具有参数的不同于所述第一平均值的第二平均值；和在所述第二半导体层上沉积覆盖层，藉此所述自组织岛形成量子点，覆盖所述至少一个第一区域的量子点具有不同于覆盖所述至少一个第二区域的所述量子点的特性，其中所述第一半导体层是应变半导体层，并且处理所述第一半导体层的表面的步骤包括在所述第一半导体层的所述至少一个第一区域中、或者在所述至少一个第二区域中、或者在所述至少一个第一区域和所述至少一个第二区域二者中都形成一个或更多应力释放凹陷的步骤。