| 发明名称 | 晶体管型保护器件和半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶体管型保护器件和半导体集成电路。一种晶体管型保护器件包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于阱中；栅电极，在源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与栅电极正下方的阱部分分开预定距离；电阻连接部分，以预定电阻连接在多个漏极区域之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101752370B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200910252948.5 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 井本努;小林敏夫 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李晓冬;南霆 |
| 主权项 | 一种晶体管型保护器件，包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于所述半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于所述阱中；栅电极，在所述源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于所述阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与所述栅电极正下方的阱部分分开预定距离；以及电阻连接部分，以预定电阻连接在所述多个漏极区域之间，其中，所述电阻连接部分是第二导电类型的半导体区域，其具有的冶金学的结形式和杂质浓度轮廓被确定为使得：能够存在当所述多个漏极区域之一中发生结击穿时在施加漏极偏压的情况下未耗尽的区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||