| 发明名称 | 用于透射电子显微镜检测的半导体结构的制备方法和结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制备透射电子显微镜检测的半导体样本的方法，所述方法包括以下步骤：提供前端器件，在所述前端器件上形成有介电材料层；在所述介电材料层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积第一种晶层；在所述第一种晶层上设置界面层；在所述界面层上沉积第二种晶层；在所述第二种晶层上设置填充层。本发明还公开了一种用于透射电子显微镜检测的半导体结构。根据本发明的方法和结构，可以方便地应用于半导体制造过程的铜互连技术中，并对于阻挡层和种晶层阶梯覆盖进行透射电子显微镜检测，并且能够保证在透射电子显微镜取样期间通孔不会变形，以及能够进一步清晰地得到对于阻挡层和种晶层阶梯覆盖的透射电子显微镜检测图像。 | ||
| 申请公布号 | CN102386125A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010274956.2 | 申请日期 | 2010.09.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何伟业;庞凌华;王玉科;聂佳相;杨瑞鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于制备透射电子显微镜检测的半导体样品的方法，所述方法包括以下步骤：提供前端器件，在所述前端器件上形成有介电材料层；在所述介电材料层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积第一种晶层；在所述第一种晶层上设置界面层；在所述界面层上沉积第二种晶层；在所述第二种晶层上设置填充层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||