| 发明名称 | 一种低漏电二极管芯片制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低漏电二极管芯片制作方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍；其特征在于：所述单面喷砂和涂硼前清洗工序之间增加预清洗工序；所述预清洗工序为两步超声清洗。本发明工艺在传统工艺上作改进，将单面喷砂和涂硼前清洗工序之间增加预清洗工序，增加该工序后硅片表面的杂质总量会少很多，再用后面同样清洗方法后，漏电会降低。 | ||
| 申请公布号 | CN102386092A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010269751.5 | 申请日期 | 2010.09.02 |
| 申请人 | 南通康比电子有限公司 | 发明人 | 陶小鸥;杨秋华 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人 | 赵绍增 |
| 主权项 | 一种低漏电二极管芯片制作方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍；其特征在于：所述单面喷砂和涂硼前清洗工序之间增加预清洗工序；所述预清洗工序为两步超声清洗，第一步超声清洗为采用哈摩粉水溶液在90℃±10℃的温度下超声清洗10分钟，用纯水冲洗10分钟；第二步超声清洗为：常温流动的水超声清洗20±1min。 | ||
| 地址 | 226500 江苏省南通市如皋市如城镇 | ||