闪存装置

摘要

本发明公开了一种闪存装置，其包括多个存储区段以及多个路径晶体管。该等存储区段的每一具有区域低电压线。该等路径晶体管分别对应一个存储区段，该等路径晶体管配置于该等存储区段的排列方向上，该等路径晶体管的其中之一配置于相邻的两个存储区段之间，其栅极连接于区段选择信号线，其漏极连接于对应的存储区段的该区域低电压线，其源极连接于全域低电压线，且其中全域低电压线实质上以90度的角度横跨其栅极。藉此可节省路径晶体管于周边电路占用的面积，并且能够降低闪存装置的制造成本。

主权项

一种闪存装置，其特征在于，所述闪存装置包括：多个存储区段，所述存储区段的每一具有一区域低电压线；以及多个路径晶体管，分别对应一个存储区段，所述路径晶体管配置于所述存储区段的排列方向上，所述路径晶体管的其中之一配置于相邻的两个存储区段之间，其一栅极连接于一区段选择信号线，其一漏极连接于对应的存储区段的所述区域低电压线，且其一源极连接于一全域低电压线，其中所述全域低电压线实质上以90度的角度横跨所述栅极。