| 发明名称 | 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 | ||
| 摘要 | 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。 | ||
| 申请公布号 | CN102386068A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201110215670.1 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种锗硅衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||