一种薄膜晶体管、阵列基板及装置和一种制备方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管、阵列基板及装置和一种制备方法。一种薄膜晶体管，包括导电金属层，所述金属层表面形成有绝缘的氧化层。本发明由于对金属层表面进行氧化处理，形成绝缘的氧化层，该氧化层可以替代氮化硅作为薄膜晶体管的阻挡层，相比制备氮化硅阻挡层需要机台及物料成本，制备氧化层的设备便宜、而且无需增加额外的物料，因此可以节约成本。另外氧化层只存在于金属层表面，对光线的阻隔少，对穿透率要求不高，因此工艺控制相对简单，可以进一步降低成本。

主权项

一种薄膜晶体管，包括导电金属层，其特征在于，所述金属层表面形成有绝缘的氧化层。