发明名称 |
具有提升取光效率的Ⅲ族氮化物基发光装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提升Ⅲ族氮化物基发光装置的取光效率的方法。通过粗化n型Ⅲ族氮化物基披覆层或未掺杂的Ⅲ族氮化物基层,以形成反射层。由于粗化表面上的间隙致使全内反射的发生,光束可反射至发光装置的上表面,如此可增加取光效率,并在所需方向来收集更多光束。 |
申请公布号 |
CN102386292A |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201010272990.6 |
申请日期 |
2010.09.06 |
申请人 |
华新丽华股份有限公司 |
发明人 |
郭明腾;陈彰和;张简庆华 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨 |
主权项 |
一种提升Ⅲ族氮化物基发光装置的取光效率的方法,包括以下步骤:a)提供基板;b)在基板上形成未掺杂的Ⅲ族氮化物基层;c)粗化未掺杂的Ⅲ族氮化物基层;d)在未掺杂的Ⅲ族氮化物基层上依序生成n型Ⅲ族氮化物基披覆层、活性区、p型Ⅲ族氮化物基披覆层;以及e)分别在p型Ⅲ族氮化物基披覆层和n型Ⅲ族氮化物基披覆层上提供p接点和n接点;其特征在于,多个间隙(gap)形成于未掺杂的Ⅲ族氮化物基层与n型Ⅲ族氮化物基披覆层之间。 |
地址 |
中国台湾桃园县杨梅镇高山里高狮路566号 |