单晶硅边皮的清洗方法

摘要

本发明公开一种单晶硅边皮的清洗方法，包括如下步骤：1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μS/cm。针对表面积不大且形状规则的硅体，特别是单晶硅边皮，所提出该清洗方法，克服了传统清洗方法的浪费，避免了大量使用酸性溶液，减少了大量废酸废气的产生，并同时减少了硅体自身的损耗，通过该方法清洗的产品，经拉晶试验后效果与传统酸洗效果相当。

主权项

一种单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μS/cm。