| 发明名称 | 高阻抗网络 | ||
| 摘要 | 一种用于集成电路的装置和方法，提供了高阻抗网络。在一个示例中，所述网络可以包括在第一和第二节点之间耦合的反并联二极管对。所述反并联二极管对可以包括具有P+/NWELL结的第一二极管和具有N+/PWELL结的第二二极管。在一个示例中，所述第一二极管和第二二极管可以包括公共基底。 | ||
| 申请公布号 | CN102386875A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201110258308.2 | 申请日期 | 2011.09.02 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 安德鲁·M·乔丹;哈维耶·雅撒;史蒂文·M·沃斯汀 |
| 分类号 | H03H7/38(2006.01)I | 主分类号 | H03H7/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吕雁葭 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：网络，所述网络包括：在第一和第二节点之间耦合的反并联二极管对，所述反并联二极管对包括：具有P+/NWELL结的第一二极管；和具有N+/PWELL结的第二二极管；其中第一和第二二极管具有公共衬底。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||