| 发明名称 | MEMS谐振器 | ||
| 摘要 | 一种体声学模式MEMS谐振器，包括具有第一物理布图的第一部分以及布图修改特征。所述谐振频率是所述物理布图的函数，其设计为使得所述频率变化对于50nm谐振器形状边缘的边缘位置的偏差来说少于150ppm。这种设计按照以下方式结合了至少两个不同的布图特征，使得小的边缘位置变化(来自于不可控的工艺变化)对谐振频率的影响可以忽略。 | ||
| 申请公布号 | CN102388533A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201080016032.0 | 申请日期 | 2010.04.07 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 约普·M·博恩泰姆普斯;简·雅各布·康宁;卡斯·范德·阿沃尔特;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 |
| 分类号 | H03H3/007(2006.01)I;H03H9/24(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H03H3/007(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种体声学模式MEMS谐振器，包括：谐振器本体，包括具有第一物理布图的第一部分；和布图修改特征，其中谐振频率是所述第一部分的物理布图和所述布图修改特征的物理布图的函数，以及其中所述物理布图设计为使得对于50nm的谐振器形状边缘的边缘位置变化来说，频率变化小于150ppm。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||