| 发明名称 | 形成多晶硅层的方法、TFT及制造方法和有机发光显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102386070A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201110259627.5 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 郑胤谋;李基龙;徐晋旭;郑珉在;朴承圭;孙榕德;苏炳洙;朴炳建;李吉远;李东炫;李卓泳;朴种力 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;薛义丹 |
| 主权项 | 一种形成多晶硅层的方法；所述方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||