低压带隙基准电压产生电路

摘要

本发明提供一种带隙基准电压产生电路，其包括第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻。第一二极管的阴极接第一参考电压，其阳极经由第一电阻与第一参考电压连接；第二二极管的阴极接第一参考电压，其阳极连接于第三电阻的一端，第三电阻的另一端经由第二电阻与第一参考电压连接；第四电阻的一端与第一参考电压连接，利用与流经第三电阻的电流和第二电阻的电流的混合电流成正比的电流流经第四电阻，从而在第四电阻的另一端得到基准电压。其中第一二极管为一个基准二极管，第二二极管包括多个并联的基准二极管。本发明中利用二极管代替原来的双极型晶体管，从而使得其可以采用标准的CMOS工艺来实现。

主权项

一种带隙基准电压产生电路，其特征在于，其包括第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一二极管的阴极接第一参考电压，其阳极经由第一电阻与第一参考电压连接；第二二极管的阴极接第一参考电压，其阳极连接于第三电阻的一端，第三电阻的另一端经由第二电阻与第一参考电压连接；第四电阻的一端与第一参考电压连接，利用与流经第三电阻的电流和第二电阻的电流的混合电流成正比的电流流经第四电阻，从而在第四电阻的另一端得到基准电压，其中第一二极管为一个基准二极管，第二二极管包括多个并联的基准二极管。