发明名称 旋转磁场传感器
摘要 本发明涉及旋转磁场传感器。第1检测部具有第1和第2检测电路,第2检测部具有第3和第4检测电路。第2和第4检测电路的输出信号的相位分别相对于第1和第3检测电路的输出信号的相位,相差信号周期的1/4的奇数倍。第3检测电路的输出信号的相位相对于第1检测电路的输出信号的相位,相差除了信号周期的1/2的整数倍之外的信号周期的1/6的整数倍。旋转磁场传感器基于第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号,基于第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号,基于第1和第2信号计算角度检测值。
申请公布号 CN102384758A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201110252342.9 申请日期 2011.08.30
申请人 TDK株式会社 发明人 猿木俊司;平林启;驹崎洋亮
分类号 G01D5/243(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I 主分类号 G01D5/243(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 毛立群;王忠忠
主权项 一种旋转磁场传感器,检测基准位置中的旋转磁场的方向相对于基准方向形成的角度,其特征在于,具备:第1检测部,在第1位置中检测所述旋转磁场;以及第2检测部,在第2位置中检测所述旋转磁场,所述第1检测部具有:第1检测电路,检测所述旋转磁场的第1方向的成分的强度,输出表示该强度的信号;以及第2检测电路,检测所述旋转磁场的第2方向的成分的强度,输出表示该强度的信号,所述第2检测部具有:第3检测电路,检测所述旋转磁场的第3方向的成分的强度,输出表示该强度的信号;以及第4检测电路,检测所述旋转磁场的第4方向的成分的强度,输出表示该强度的信号,所述第1到第4检测电路分别包含至少1个磁检测元件,所述第1到第4检测电路的输出信号以相互相等的信号周期而周期性变化,所述第3检测电路的输出信号的相位与所述第1检测电路的输出信号的相位不同,所述第4检测电路的输出信号的相位与所述第2检测电路的输出信号的相位不同,旋转磁场传感器还具备:第1运算电路,基于所述第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号,该第1信号与所述旋转磁场的第1方向的成分的强度和所述旋转磁场的第3方向的成分的强度的双方具有对应关系,并且与所述第1和第3检测电路的输出信号相比,减少了所述信号周期的1/3周期的误差成分;第2运算电路,基于所述第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号,该第2信号与所述旋转磁场的第2方向的成分的强度和所述旋转磁场的第4方向的成分的强度的双方具有对应关系,并且与所述第2和第4检测电路的输出信号相比,减少了所述信号周期的1/3周期的误差成分;以及第3运算电路,基于所述第1和第2信号计算角度检测值,该角度检测值与所述基准位置中的所述旋转磁场的方向相对于所述基准方向形成的角度具有对应关系。
地址 日本东京都