发明名称 半导体集成电路
摘要 本发明提供一种半导体集成电路,包括:多个从芯片,每个从芯片包括具有存储单元阵列的核心区、被配置为传送相应的核心区的输入/输出数据的全局数据线、以及被配置为将相应的核心区与相应的全局数据线接口的第一外围电路区;多个数据传送贯穿芯片通孔,所述多个数据传送贯穿芯片通孔分别贯穿多个从芯片而垂直地形成,并且与从芯片的相应的全局数据线耦合;以及主芯片,所述主芯片包括被配置为在数据传送贯穿芯片通孔与外部控制器之间提供输入/输出接口的第二外围电路区。
申请公布号 CN102386172A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201010543676.7 申请日期 2010.11.15
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 崔珉硕;李锺天
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;黄启行
主权项 一种半导体集成电路,包括:多个从芯片,所述多个从芯片中的每个包括:核心区,所述核心区具有存储单元阵列;全局数据线,所述全局数据线被配置为传送相应的所述核心区的输入/输出数据;以及第一外围电路区,所述第一外围电路区被配置为将相应的所述核心区与相应的所述全局数据线接口;多个数据传送贯穿芯片通孔,所述多个数据传送贯穿芯片通孔分别贯穿所述多个从芯片而垂直地形成,并且与所述从芯片的相应的所述全局数据线耦合;以及主芯片,所述主芯片包括被配置为在所述数据传送贯穿芯片通孔与外部控制器之间提供输入/输出接口的第二外围电路区。
地址 韩国京畿道